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          當前位置:首頁技術文章半導體分立器件測試儀

          半導體分立器件測試儀

          更新時間:2020-08-18點擊次數:916
          產品名稱:半導體分立器件測試儀
          產品型號:CS2935

          半導體分立器件測試儀型號:CS2935
           
          一、產品特點:
          測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩定可靠,具有保護系統和被測器件的能力。測試儀由計算機操控,測試數據可存儲打印。除具有點測試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統軟件穩定可靠、硬件故障率低,在實際測試應用中各項技術指標均可達到器件手冊技術指標及國標要求。
          二、測試參數
          1. 二管      
          VF、IR、BVR
          2.  穩壓(齊納)二管   
          VF、IR、BV Z
          3.  晶體管       Transistor(NPN型/PNP型)
                VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
          4.   可控硅整流器(晶閘管)   
          IGT、VGT、 IH、IL 、VTM 
          5.  場效應管   
          IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS


          6.  光電耦合器       
          VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
          *7.三端穩壓器
          VO、SV、ID、IDV

          三、測試參數范圍

          晶體管

           

          測試參數

          測試范圍

          ICEO

          ICBO

          IEBO

          1nA-100nA

          100nA-1uA

          1uA-100uA

          100uA-10mA

          VCE(sat)

          VBE(sat)

          0.10V-30V

          VBE(VBE(on))

          0.10V-30V

          hFE

          1-99999

          V(BR)EBO

          0.10V-30V

          V(BR)CEO

          V(BR)CBO

          0.       10V-50V

          50V-1499V

           

          二管

           

           

          測試參數

          測試范圍

          IR

          1nA-100nA

          100nA-1uA

          1uA-100uA

          100uA-10mA

          VF

          0.10V-30V

          V(BR)

          1V-50V

           

          50V-1499V

           

          穩壓二管

           

           

          測試參數

          測試范圍

          IR

          1nA-100nA

          100nA-1uA

          1uA-100uA

          100uA-10mA

          VF

          0.10V-30V

          VZ

          0.10V-50V

           

          三端穩壓器

           

           

          測試參數

          測試范圍

          VO

          0.10V-30V

          SV

          0.10mV-1V

          ID

          1uA-10mA

          IDV

          1uA-10mA

           

          MOSFET

           

           

          測試參數

          測試范圍

          VGS(th)

          0.10V-30V

          gfs

          0.1mS-1000S

          RDS(on)

          10mΩ-100KΩ

          VDS(on)

          0.10V-50V

          IGSS

          1nA-100nA

          100nA-1uA

          1uA-100uA

          100uA-10mA

          IDSS

          1nA-100nA

          100nA-1uA

          1uA-100uA

          100uA-10mA

          ID(on)

          0-50A

          V(BR)GSS

          0.1V-30V

          V(BR)DSS

          0.1V-1499V

           

          光耦

           

           

          測試參數

          測試范圍

          VF

          0.10V-30V

          IR

          1nA-100nA

          100nA-1uA

          1uA-100uA

          100uA-10mA

          VCE(sat)

          0.10V-50V

          CTR

          0.1%-1000%

          ICEO

          與IR參數相同

          V(BR)ECO V(BR)CEO

          0.10V-50V

          50V-1499V

           

          可控硅

           

           

          測試參數

          測試范圍

          IGT

          10uA-200mA

          VGT

          0.10V-30V

          IH

          10uA-1A

          IL

          10uA-1A

          VTM

          0.10V-50V

           

          四、技術指標

          1、源的指標

          主壓流源 (VA)

                電壓:

           

           

          設定范圍(V)

          精度

          ±(0~10)

          ±(14.6mV+0.5%set)

          ±(10~50)

          ±(73.2mV+0.5%set)

           

          電流:

           

           

          測量范圍

          精度

          ±(0-50)uA

          ±(244nA+0.5% set)

          ±(50-500) uA

          ±(2.44uA+0.5% set)

          ±(0.5-5) mA

          ±(24.4uA+0.5% set)

          ±(5-50) mA

          ±(244uA+0.5% set)

          ±(50~500) mA

          ±(2.44mA+0.5%set)

          ±(0.5~5)A(脈沖)

          ±(24.4mA+0.5%set)

          ±(5-50)A(脈沖)

          ±(244mA+0.5%set)

           

          壓流源 (VB)

                電壓:

           

           

          設定范圍(V)

          精度

          ±(0~10)

          ±(14.6mV+0.5%set)

          ±(10~30)

          ±(43.8mV+0.5%set)

           

          電流:

           

           

          測量范圍

          精度

          ±(0-50)uA

          ±(244nA+0.5% set)

          ±(50-500) uA

          ±(2.44uA+0.5% set)

          ±(0.5-5) mA

          ±(24.4uA+0.5% set)

          ±(5-50) mA

          ±(244uA+0.5% set)

          ±(50~500) mA

          ±(2.44mA+0.5%set)

          ±(0.5~5)A(脈沖)

          ±(24.4mA+0.5%set)

          ±(5-50)A(脈沖)

          ±(244mA+0.5%set)

           

          源(HV)

           

           

          設定范圍(V)

          精度

          0~1500

          ±(1.22V+1%set)

           

          *1500V時 大輸出為5mA。

          2、電壓表的指標

          測漏電流

           

           

          測量范圍

          精度

          ±(0~200)nA

          ±(2.44nA+0.5% Rdg)

          ±(0.2-2)uA

          ±(24.4nA+0.5% Rdg)

          ±(2-20)uA

          ±(244nA+0.5% Rdg)

          ±(20~200) uA

          ±(2.44uA+0.5% Rdg)

          ±(0.2~2)mA

          ±(24.4uA+0.5% Rdg)

          ±(2-20)mA

          ±(244uA+0.5% Rdg)

           

          測試電壓

           

           

          設定范圍(V)

          精度

          ±(0~10)

          ±(3mV+0.5% Rdg)

          ±(10~50)

          ±(15mV+0.5% Rdg)

           

          測擊穿電壓

           

           

          設定范圍(V)

          精度

          (0~50)V/10mA

          ±(36.6mV+0.25% Rdg)

          (50~1500)V/1mA

          ±(610.3mV+1% Rdg)

           

          放大倍數

           

           

          設定范圍(V)

          精度

          1~9999

          1%

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